VBA1311

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 30V 13A SO-8

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:4.1W
阈值电压:3V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:13A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SO-8
输入电容(Ci):800pF
反向传输电容Crss:73pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
Vgs(Max):±20V
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):11mΩ@4.5V
栅极电荷(Qg):10.2nC
高度:1.75mm
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
5+¥1.8080
包装:5 库存:8