VBA1311

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: N沟道,30V,12A,12mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
阈值电压Vgs(th):3V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:9A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:30V
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
漏极电流Idss:1µA
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):11mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):23nC
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.75mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
5+¥1.1154
50+¥1.0907
150+¥1.0743
500+¥1.0578
包装:5 库存:470