WSD4080DN56

制造商: WINSOK 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: 封装/外壳:DFN5X6-8 FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:85A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
功率耗散:52.1W
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
阈值电压Vgs(th):2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:85A
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:40V
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_5X6MM
输入电容Ciss:2.354nF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:20nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6.4mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):40V
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.8905
10+¥1.6815
30+¥1.5960
100+¥1.4820
500+¥1.4440
1000+¥1.4155
包装:1 库存:6909