WSD4080DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):85A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:40V
功率耗散:52.1W
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:85A
长x宽/尺寸:5.02 x 5.87mm
封装/外壳:DFN5x6-8L
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:175pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:20nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):40V
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.7072
10+¥2.1984
1000+¥1.3152
包装:1 库存:942