VB3222

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 20V 6A TSOP-6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:1.14W
阈值电压:-
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSOP-6
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:26pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.8nC
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):22mΩ
栅极电荷(Qg):6nC
零件状态:Active
晶体管类型:2个N沟道(双)
无库存