VB3222

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:1.14W
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
阈值电压Vgs(th):-
连续漏极电流Id@25℃:3.5A
包装:Tape/reel
漏源击穿电压BVDSS:20V
封装/外壳:TSOP6
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:26pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.8nC
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):22mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):6nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
零件状态:Active
晶体管类型:2个N沟道(双)
价格梯度 价格
5+¥1.2504
50+¥1.0232
150+¥0.9258
500+¥0.8044
3000+¥0.6654
6000+¥0.6330
包装:5 库存:990