FDG6303N
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 2V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 2.3A |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-363 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 3nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 5nC |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 引脚数: | 6Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0848 |
| 10+ | ¥1.0170 |
| 50+ | ¥0.9153 |
| 150+ | ¥0.8475 |
| 300+ | ¥0.8000 |
| 500+ | ¥0.7797 |
| 包装：1 | 库存：0 |