SI2305DS-T1-GE3
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 原产地: | China Taiwan |
| 连续漏极电流: | 4.5A |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 输入电容(Ci): | 835pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 155pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 43mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 10nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.3817 |
| 包装：10 | 库存：0 |