AP2305GN

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.25W
阈值电压:1.5V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:155pF
栅极源极击穿电压:±12V
输入电容(Ci):835pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
Vgs(Max):±12V
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):43mΩ
栅极电荷(Qg):10nC
高度:1.12mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
10+¥0.4031
包装:10 库存:0