UMW1N60G
品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | UMW |
| 漏源电流(Idss): | 1A |
| 功率耗散: | - |
| 阈值电压: | 4V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1A |
| 长x宽/尺寸: | 6.50 x 3.50mm |
| 封装/外壳: | SOT-223 |
| 栅极源极击穿电压: | ±30V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±30V |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 认证信息: | RoHS |
| 导通电阻(RDS(on): | 8.5Ω |
| 高度: | 1.60mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 4Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.4018 |
| 包装：1 | 库存：305 |