UMW1N60G
品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 漏源电流(Idss): | 1A |
| 功率耗散: | - |
| 击穿电压: | 600V |
| 阈值电压: | 4V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1A |
| 封装/外壳: | SOT-223 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 5.4pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±30V |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 正向压降VF Max: | 1.4V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 4Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.4018 |
| 包装：1 | 库存：305 |