UMW1N60G

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:-
击穿电压:600V
阈值电压:4V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:1A
封装/外壳:SOT-223
元件生命周期:Active
漏极电流:1A
反向传输电容Crss:5.4pF
工作温度:+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±30V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):600V
正向压降VF Max:1.4V
晶体管类型:N沟道
引脚数:4Pin
价格梯度 价格
1+¥0.4018
包装:1 库存:305