2301P

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
阈值电压:650mV@250μA
额定功率:840mW
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:2.8A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:42pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):3.5nC@4.5V
高度:1.15mm
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.0589
20+¥0.0578
100+¥0.0556
包装:5 库存:1570