2301P
品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 840mW |
| 阈值电压: | 650mV@250μA |
| 原始制造商: | SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 2.8A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 42pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 3.5nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 332pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 3.5nC@4.5V |
| 零件状态: | Active |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.0559 |
| 20+ | ¥0.0549 |
| 100+ | ¥0.0528 |
| 包装：5 | 库存：1675 |