NCE3020Q
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 功率耗散: | 20W |
| 阈值电压: | 1.5V@250µA |
| 额定功率: | 20W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 6.8mΩ@10V,10A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 封装/外壳: | DFN8_3.15X3.1MM |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 164.4pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 17nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 17nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8806 |
| 50+ | ¥0.6808 |
| 1000+ | ¥0.6706 |
| 2000+ | ¥0.6504 |
| 5000+ | ¥0.6212 |
| 包装：5 | 库存：5070 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0377 |
| 包装：1 | 库存：10 |