NCE3020Q

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):20W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:20W
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:20A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.10mm
封装/外壳:DFN8_3.15X3.1MM
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):17nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
5+¥1.1010
50+¥0.8467
1000+¥0.6016
2000+¥0.5411
5000+¥0.5047
包装:5 库存:4993
价格梯度 价格
1+¥1.0377
包装:1 库存:10