SI2309CDS-T1-GE3
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 击穿电压: | 60V |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.2A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 31pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 充电电量: | 12nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 认证信息: | RoHS |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.1074 |
| 30+ | ¥1.0679 |
| 100+ | ¥1.0283 |
| 500+ | ¥0.9492 |
| 1000+ | ¥0.9097 |
| 2000+ | ¥0.8859 |
| 包装：1 | 库存：0 |