SI2309CDS-T1-GE3
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 27W |
| 击穿电压: | 60V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.2A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 导通电阻(RDS(on): | 50mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥2.1893 |
| 50+ | ¥1.7988 |
| 150+ | ¥1.6383 |
| 500+ | ¥1.4150 |
| 3000+ | ¥1.1783 |
| 6000+ | ¥1.1186 |
| 包装：5 | 库存：0 |