UMWIRLML5203
品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道30-V（D-S）MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | -3A |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 300mW |
| 阈值电压: | 3V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3A |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 反向传输电容Crss: | 75pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 700pF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 145mΩ |
| 高度: | 1.15mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.2620 |
| 20+ | ¥0.2387 |
| 100+ | ¥0.2155 |
| 500+ | ¥0.1922 |
| 1000+ | ¥0.1814 |
| 2000+ | ¥0.1736 |
| 包装：5 | 库存：1951 |