UMWIRLML5203

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道30-V(D-S)MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:300mW
阈值电压:3V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):145mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3A
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
漏极电流:-3A
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
高度:1.15mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.2620
20+¥0.2387
100+¥0.2155
500+¥0.1922
1000+¥0.1814
2000+¥0.1736
包装:5 库存:1951