AP2301B

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道功率MOSFET SOT-23 VDS=20V VGS=±12V ID=2A

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):-2A
击穿电压:20V
功率耗散:750mW
阈值电压:950mV
极性:P-沟道
连续漏极电流:2A
长x宽/尺寸:3.10 x 1.50mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:27pF
栅极源极击穿电压:±12V
输入电容(Ci):210pF
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):130mΩ@4.5V
高度:1.30mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0783
包装:50 库存:1000