AP2301B

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道功率MOSFET SOT-23 VDS=20V VGS=±12V ID=2A

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):-2A
功率耗散:750mW
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:2A
长x宽/尺寸:3.10 x 1.50mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
原产国家:China
输入电容:210pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.30mm
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
20+¥0.0716
300+¥0.0628
包装:20 库存:1000