ULN2003N
品牌
HGSEMI
供应商
分类
晶体管 > 达林顿晶体管阵列
描述
高电压，大电流 达林顿晶体管阵列 NPN DIP16
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 特性: | - |
| 品牌: | HGSEMI |
| 原始制造商: | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
| Vce饱和压降: | 1.6V |
| 包装: | Tube packing |
| 正向电压（Vf）（典型值）: | 1.5V |
| 跃迁频率: | - |
| 集射极击穿电压Vceo: | - |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)): | 50V |
| 长x宽/尺寸: | 19.80 x 6.50mm |
| 封装/外壳: | DIP16_19.8X6.5MM |
| 工作温度: | -20℃~+85℃ |
| 集电极电流 Ic: | 500mA |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 30pF |
| 高度: | 3.50mm |
| DC电流增益(hFE): | 1000 |
| 晶体管类型: | NPN |
| 引脚数: | 16Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5600 |
| 20+ | ¥0.5500 |
| 100+ | ¥0.5300 |
| 包装：5 | 库存：0 |