ULN2003N
品牌
HGSEMI
供应商
分类
晶体管 > 达林顿晶体管阵列
描述
高电压，大电流 达林顿晶体管阵列 NPN DIP16
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 特性: | - |
| 功率耗散: | - |
| 关断延迟时间: | 1µs |
| Vce饱和压降: | 1.6V |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | - |
| 包装: | Tube packing |
| 正向电压（Vf）（典型值）: | 1.5V |
| 跃迁频率: | - |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | DIP16_19.8X6.5MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -20℃~+85℃ |
| 输入电容: | 30pF |
| 最小包装: | 25pcs |
| 开通延迟时间: | 1µs |
| 正向压降VF Max: | 2V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | NPN |
| DC电流增益(hFE): | 1000 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5600 |
| 20+ | ¥0.5500 |
| 100+ | ¥0.5300 |
| 包装：5 | 库存：0 |