BRD4N65
品牌
BLUE ROCKET
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：75W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 650V |
| 功率耗散: | 75W |
| 阈值电压: | 4V |
| 原始制造商: | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 长x宽/尺寸: | 6.75 x 6.25mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±30V |
| 反向传输电容Crss: | 2.2pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 高度: | 6.25mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.7699 |
| 包装：5 | 库存：2500 |