VB5222
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.15W |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 30mΩ,79mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 5.5A,3.4A |
| 长x宽/尺寸: | 3.05 x 1.65mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TSOP-6 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | - |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 3.6nC |
| 高度: | 1.10mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |