SL2301S

品牌
SLKOR
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个P沟道 Pd:900mW VDSS:20V ID:2.4A RDS:140mΩ@4.5V,2.4A Vgs(th):1.5V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
功率耗散:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
原始制造商:SLKORMICRO Electronics Co., Ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@4.5V,2.4A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:2.4A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):140mΩ
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):-
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.1334
包装:1 库存:20