WSF10N40
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：56W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 400V |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 阈值电压: | 4V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 40A |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 反向传输电容Crss: | 9pF |
| 输入电容(Ci): | 740pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 25nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 400V |
| 导通电阻(RDS(on): | 1.1Ω |
| 晶体管类型: | N沟道 |