WSF10N40

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):56W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:400V
功率耗散:1.5W
阈值电压:4V@250uA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:40A
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
栅极源极击穿电压:±25V
反向传输电容Crss:9pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:25nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):400V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.2717
10+¥2.0587
30+¥1.9167
100+¥1.7037
500+¥1.6043
1000+¥1.5333
包装:1 库存:2498