WSD30160DN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 62.5W |
| 阈值电压: | 1.7V@250µA |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD |
| 额定功率: | 62.5W |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 5.75mm |
| 封装/外壳: | DFN8_4.9X5.75MM |
| 漏极电流: | 120A |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 530pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 38nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 1.17mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.2185 |
| 10+ | ¥2.0735 |
| 50+ | ¥1.8560 |
| 150+ | ¥1.7110 |
| 300+ | ¥1.6095 |
| 500+ | ¥1.5660 |
| 包装：1 | 库存：499 |