TPNTK3139PT1G
品牌
TECH PUBLIC
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=850mA P=690mW SOT723
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 690mW |
| 阈值电压: | 750mV |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 850mA |
| 长x宽/尺寸: | 1.25 x 0.85mm |
| 封装/外壳: | SOT-723-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 4.4pF@10V |
| 工作温度: | +150℃ |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 最小包装: | 8000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 530mΩ@4.5V |
| 栅极电荷(Qg): | 0.8nC |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 0.50mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.2311 |
| 200+ | ¥0.1869 |
| 600+ | ¥0.1653 |
| 2000+ | ¥0.1477 |
| 8000+ | ¥0.1267 |
| 16000+ | ¥0.1196 |
| 包装：20 | 库存：8000 |