TPNTK3139PT1G

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=850mA P=690mW SOT723

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:690mW
阈值电压:750mV@250μA
原始制造商:Tech Public Electronics Co.,Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@4.5V,550mA
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:850mA
长x宽/尺寸:1.25 x 0.85mm
封装/外壳:SOT-723-3
元件生命周期:Active
工作温度:+150℃
原产国家:China Taiwan
最小包装:8000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):0.8nC
高度:0.50mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.1300
10+¥0.1200
30+¥0.1180
100+¥0.1120
包装:1 库存:0