NTR4170NT1G
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 1.1W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 33mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.3A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 17pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 335pF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 6.7nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 3+ | ¥0.5861 |
| 包装：3 | 库存：3 |