

SPT50N65F1A
品牌
SPTECH
供应商

分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/50A沟槽场阻IGBT
物料参数
正向电流: | 100A |
安装类型: | 插件 |
关断延迟时间: | 180ns |
集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
Vce饱和压降: | 1.8V |
包装: | Tube packing |
极性: | NPN |
跃迁频率: | - |
存储温度: | -40℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 16.13 x 5.21mm |
封装/外壳: | TO-247-3 |
元件生命周期: | Active |
上升/下降沿时间: | 22ns |
工作温度: | -40℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
原产国家: | China |
高度: | 25.57mm |
零件状态: | Active |
DC电流增益(hFE): | - |
引脚数: | 3Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥8.8400 |
10+ | ¥8.1600 |
30+ | ¥8.0240 |
包装:1 | 库存:0 |