SPT50N65F1A

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/50A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:100A
安装类型:插件
品牌:SPTECH
关断损耗:1.1mJ
关断延迟时间:180ns
原始制造商:SPTECH Electronics Co. Ltd
集射极击穿电压Vce(Max):650V
Vce饱和压降:1.8V
包装:Tube packing
跃迁频率:-
导通损耗:1.9mJ
存储温度:-40℃~+150℃
封装/外壳:TO-247-3
元件生命周期:Active
上升/下降沿时间:22ns
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
开通延迟时间:40ns
DC电流增益(hFE):-
价格梯度 价格
1+¥8.8400
10+¥8.1600
30+¥8.0240
包装:1 库存:0