TPDMN26D0UFB4
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
场效应管(MOSFET)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 100mW |
| 击穿电压: | 20V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 原产地: | China Taiwan |
| 印字代码: | N5P |
| 连续漏极电流: | 700mA |
| 长x宽/尺寸: | 1.00 x 0.60mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | DFN1006-3 |
| 输入电容(Ci): | 120pF |
| 反向传输电容Crss: | 15pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±10V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 300mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | - |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.2100 |
| 200+ | ¥0.1702 |
| 600+ | ¥0.1485 |
| 2000+ | ¥0.1344 |
| 10000+ | ¥0.1086 |
| 20000+ | ¥0.1019 |
| 包装：20 | 库存：12400 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1501 |
| 包装：1 | 库存：55 |