TPDMN26D0UFB4

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs DFN3_1X0.6MM VDS=20V ID=0.7A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:TECH PUBLIC
功率耗散:100mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:700mA
长x宽/尺寸:1.00 x 0.60mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN1006-3
栅极源极击穿电压:±10A
反向传输电容Crss:15pF
工作温度:+150℃
配置:单路
输入电容:120pF
Vgs(Max):±10V
最小包装:10000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):-
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
20+¥0.1855
1000+¥0.1230
4000+¥0.1097
10000+¥0.0852
包装:20 库存:9980
价格梯度 价格
1+¥0.1501
包装:1 库存:55