TPDMN26D0UFB4
品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
场效应管(MOSFET)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 100mW |
| 击穿电压: | 20V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 300mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 700mA |
| 长x宽/尺寸: | 1.00 x 0.60mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | DFN1006-3 |
| 栅极源极击穿电压: | ±10A |
| 反向传输电容Crss: | 15pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 120pF |
| Vgs(Max): | ±10V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | - |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.1859 |
| 1000+ | ¥0.1318 |
| 4000+ | ¥0.1207 |
| 10000+ | ¥0.0997 |
| 包装：20 | 库存：4960 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1501 |
| 包装：1 | 库存：55 |