NTZD3155CT2G
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=600mA,400mA SOT363
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 1.15W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 40mΩ,44mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 600mA,400mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-363 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | - |
| 配置: | - |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 3.6nC |
| 高度: | 0.90mm |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0848 |
| 10+ | ¥1.0170 |
| 50+ | ¥0.9153 |
| 150+ | ¥0.8475 |
| 300+ | ¥0.8000 |
| 500+ | ¥0.7797 |
| 包装：1 | 库存：0 |