NCE9435
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 Vdss：30V Id：5.1A Pd：2.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 2.1V@250µA |
| 额定功率: | 2.5W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 43mΩ@10V,5.1A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 5.1A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 135pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 11nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 11nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.4005 |
| 20+ | ¥0.3630 |
| 100+ | ¥0.3255 |
| 500+ | ¥0.2880 |
| 1000+ | ¥0.2705 |
| 2000+ | ¥0.2580 |
| 包装：5 | 库存：3510 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5696 |
| 包装：1 | 库存：5 |