NCE9435
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 Vdss：30V Id：5.1A Pd：2.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 2.5W |
| 阈值电压: | 2.1V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 5.1A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 135pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 11nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 11nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5600 |
| 50+ | ¥0.4330 |
| 800+ | ¥0.3218 |
| 1600+ | ¥0.2837 |
| 4000+ | ¥0.2646 |
| 包装：5 | 库存：3503 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5696 |
| 包装：1 | 库存：5 |