WSD2018ADN22

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道.20N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:2W
阈值电压:700mV@250μA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@4.5V,5A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:11A
长x宽/尺寸:2.08 X 2.08mm
封装/外壳:DFN2X2-6L
反向传输电容Crss:138pF@4V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:32nC
配置:单路
输入电容:1.177nF
Vgs(Max):±10V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):32nC
高度:1.00mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
5+¥1.0177
50+¥0.7980
包装:5 库存:50