LBSS260DW1T1G

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 60V 200mA SOT-363

物料参数

安装类型:SMT
品牌:LRC
功率耗散:380mW
阈值电压:1V
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China
连续漏极电流:200mA
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-363
输入电容(Ci):22.8pF@25V
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):1.44Ω@10V,500mA
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.2594
100+¥0.2026
300+¥0.1747
3000+¥0.1522
包装:10 库存:2853
价格梯度 价格
230+¥0.2175
1500+¥0.1875
3000+¥0.1665
包装:1 库存:17293
价格梯度 价格
280+¥0.1838
包装:1 库存:430