LBSS260DW1T1G

品牌
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
Small Signal MOSFETs

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:380mW
阈值电压:1V
极性:N-沟道
连续漏极电流:200mA
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
封装/外壳:SOT-363
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):22.8pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):1.44Ω@10V,500mA
高度:1.10mm
零件状态:Active
引脚数:6Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.2594
100+¥0.2026
300+¥0.1747
3000+¥0.1522
包装:10 库存:2853