LBSS260DW1T1G

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 60V 200mA SOT-363

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:1V@250μA
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.44Ω@10V,500mA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:200mA
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-363
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
原产国家:China
输入电容:22.8pF@25V
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
高度:1.10mm
零件状态:Active
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
10+¥0.2801
100+¥0.2208
600+¥0.1916
1200+¥0.1888
3000+¥0.1716
包装:10 库存:2853