AP60P20Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：80W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | -20V |
| 功率耗散: | 80W |
| 阈值电压: | 600mV |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 反向传输电容Crss: | 440pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 3.6nF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 5.8mΩ@4.5V,20A |
| 栅极电荷(Qg): | 55nC |
| 高度: | 1.00mm |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8474 |
| 50+ | ¥0.7487 |
| 150+ | ¥0.7098 |
| 500+ | ¥0.6517 |
| 2500+ | ¥0.5589 |
| 包装：5 | 库存：4008 |