AP60P20Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
阈值电压:0.6V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
额定功率:80W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@4.5V,20A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:60A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):55nC
高度:1.00mm
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.6953
50+¥0.5952
1000+¥0.4988
包装:5 库存:4008