NCE30H15K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):130W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:130W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:150A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:563pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.1107
10+¥1.9086
30+¥1.7738
100+¥1.5717
500+¥1.4774
1000+¥1.4100
包装:1 库存:3919
价格梯度 价格
1+¥2.5087
包装:1 库存:8