NCE30H15K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):130W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:130W
阈值电压:2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:150A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:563pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:38nC
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
零件状态:在售
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.4775
10+¥1.3360
30+¥1.2417
100+¥1.1002
500+¥1.0342
1000+¥0.9870
包装:1 库存:4080
价格梯度 价格
1+¥2.5087
包装:1 库存:8