AP4616

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.8/-7.6A 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:2W
击穿电压:30V
阈值电压:3V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:9.8A
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SO-8
工作温度:-55℃~+150℃
配置:双路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):17nC
高度:1.75mm
类型:1个N沟道+1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7882
50+¥0.6159
800+¥0.4498
包装:5 库存:1635