AP4616

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.8/-7.6A 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
击穿电压:30V
阈值电压:3V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:9.8A
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SO-8
输入电容(Ci):1.75nF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:双路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):17nC
高度:1.75mm
类型:1个N沟道+1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7651
50+¥0.6062
800+¥0.4672
包装:5 库存:1635