AP4616
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ALLPOWER
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 3V |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 9.8A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO-8 |
| 反向传输电容Crss: | 120pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 1.75nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 13.5mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 17nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.9073 |
| 50+ | ¥0.7224 |
| 150+ | ¥0.6456 |
| 500+ | ¥0.5407 |
| 2500+ | ¥0.4939 |
| 4000+ | ¥0.4658 |
| 包装：5 | 库存：1635 |