SPT60N65F1A1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/60A沟槽场阻IGBT
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 正向电流: | 120A |
| 关断损耗: | 1.1mJ |
| 关断延迟时间: | 165ns |
| 原始制造商: | SPTECH Electronics Co. Ltd |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
| Vce饱和压降: | 2.2V |
| 包装: | Tube packing |
| 跃迁频率: | - |
| 导通损耗: | 2.2mJ |
| 存储温度: | -40℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 上升/下降沿时间: | 79ns |
| 工作温度: | -40℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 开通延迟时间: | 56ns |
| 零件状态: | Active |
| DC电流增益(hFE): | - |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.2950 |
| 10+ | ¥8.5800 |
| 30+ | ¥8.4370 |
| 包装：1 | 库存：0 |