TPCJ2101
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TECH PUBLIC
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 700mV@250μA |
| 额定功率: | 290mW |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 1.4A |
| 长x宽/尺寸: | 2.20 x 1.35mm |
| 存储温度: | -50℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 640pF |
| Vgs(Max): | ±8V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | - |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.2936 |
| 包装：10 | 库存：60 |