WSF3055

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):18.9W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
击穿电压:30V
阈值电压:1.8V
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
原产地:China Taiwan
连续漏极电流:24A,19.8A
长x宽/尺寸:6.60 x 6.10mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:N:42,P:105pF
工作温度:+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):4nC@4.5V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
价格梯度 价格
1+¥1.4551
10+¥1.2656
30+¥1.1844
100+¥1.0830
500+¥1.0379
包装:1 库存:500