WSF3055
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 18.9W |
| 阈值电压: | 1.8V@250µA |
| 额定功率: | 18.9W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 15mΩ@10V,9A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 24A,19.8A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | N：42，P：105pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | N：4，P：8nC |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | N:395pF,P:750pF |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 4nC@4.5V |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.4915 |
| 10+ | ¥1.3965 |
| 50+ | ¥1.2540 |
| 150+ | ¥1.1590 |
| 300+ | ¥1.0925 |
| 500+ | ¥1.0640 |
| 包装：1 | 库存：500 |