WSF3055
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | Winsok |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 18.9W |
| 阈值电压: | 1.8V@250µA |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 24A,19.8A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | N：42，P：105pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | N：4，P：8nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 4nC@4.5V |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.4551 |
| 10+ | ¥1.2656 |
| 30+ | ¥1.1844 |
| 100+ | ¥1.0830 |
| 500+ | ¥1.0379 |
| 包装：1 | 库存：500 |