NCE4953

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:2.5W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:7.3A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:185pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:32nC
配置:双路
输入电容:1.35nF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):50nC
高度:1.75mm
晶体管类型:2个P沟道(双)
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.8992
10+¥1.7805
50+¥1.6025
150+¥1.4838
300+¥1.4007
500+¥1.3651
包装:1 库存:0