WSD50P10DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):34A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:2V@250uA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,18A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:34A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.85 X 5.40mm
封装/外壳:DFN5x6-8L
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:56nC
配置:单路
原产国家:China
输入电容:2.48nF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):100V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):56nC@10V
晶体管类型:P沟道
应用:Consumer
价格梯度 价格
1+¥4.2875
10+¥4.0425
30+¥3.5525
100+¥3.1850
500+¥2.9400
1000+¥2.7685
包装:1 库存:0