WSD50P10DN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 96W |
| 阈值电压: | 2V@250uA |
| 额定功率: | 96W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 32mΩ@10V,18A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 34A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 5.85 X 5.40mm |
| 封装/外壳: | DFN8_5X6MM |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 32mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 认证信息: | RoHS |
| 栅极电荷(Qg): | 56nC@10V |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 应用: | Consumer |
| 引脚数: | 8Pin |