WSD50P10DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):34A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:Winsok
功率耗散:96W
击穿电压:100V
阈值电压:2V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:34A
封装/外壳:DFN-8(5x6)
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):56nC@10V
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥4.2875
10+¥4.0425
30+¥3.5525
100+¥3.1850
500+¥2.9400
1000+¥2.7685
包装:1 库存:0