WSD50P10DN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 100V |
| 阈值电压: | 2V |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 34A |
| 封装/外壳: | DFN-8(5x6) |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 126pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 56nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 应用等级: | Consumer |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 56nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |