AP4410

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V
额定功率:3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,10A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:15A
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
封装/外壳:SOP-8
反向传输电容Crss:152pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:单路
输入电容:1.116nF
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):13.3nC
高度:1.75mm
类型:1个N沟道