8205B
品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 650mV@250µA |
| 原始制造商: | SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 24mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 7A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.60mm |
| 封装/外壳: | SOT23-6 |
| 漏极电流: | 7A |
| 反向传输电容Crss: | 74.69pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 6.24nC |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 522.3pF |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.3061 |
| 20+ | ¥0.2791 |
| 100+ | ¥0.2520 |
| 500+ | ¥0.2250 |
| 1000+ | ¥0.2124 |
| 2000+ | ¥0.2034 |
| 包装：5 | 库存：0 |