SI2302S

品牌
BORN
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-Channel SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:BORN
功率耗散:1W
击穿电压:±10V
阈值电压:±10V
原始制造商:BORN SEMICONDUCTOR
额定功率:1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@2.5V,1A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:2.5A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:0.4~1.0V
工作温度:+150℃
Vgs(Max):0.4~1.0V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):4nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
20+¥0.1168
300+¥0.1034
1200+¥0.0952
3000+¥0.0791
包装:20 库存:3000