SI2302S

品牌
BORN
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-Channel SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:BORN
功率耗散:1W
阈值电压:±10V
原始制造商:BORN SEMICONDUCTOR
额定功率:1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@2.5V,1A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:2.5A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:0.4~1.0V
工作温度:+150℃
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:Active
栅极电荷(Qg):4nC
零件状态:在售
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.1275
500+¥0.1148
5000+¥0.1063
10000+¥0.1020
30000+¥0.0978
50000+¥0.0952
包装:50 库存:0