AO4800
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.78W |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 26mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 6.2A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 3.7nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 应用等级: | Consumer |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 5.6nC |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.1389 |
| 包装：1 | 库存：10 |