WSD3023DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-P沟道 漏源电压(Vdss):30/-30V 连续漏极电流(Id):14/-14A 功率(Pd):5.25W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.8V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:14A,12A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:DFN5x6-8L
反向传输电容Crss:55,72pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:5.2,13nC
配置:单路
原产国家:China
输入电容:545pF,580pF
Vgs(Max):±20V
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
价格梯度 价格
1+¥1.2400
10+¥1.1600
50+¥1.0400
150+¥0.9600
300+¥0.9040
500+¥0.8800
包装:1 库存:500