UMWSI2300A
品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道20V（D-S）MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 6A |
| 功率耗散: | - |
| 阈值电压: | 1V |
| 原始制造商: | UMW |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China Taiwan |
| 印字代码: | C009T |
| 连续漏极电流: | 6A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 输入电容(Ci): | 574pF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| 充电电量: | 7.7nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 认证信息: | RoHS |
| 导通电阻(RDS(on): | 21mΩ |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.2380 |
| 20+ | ¥0.2170 |
| 100+ | ¥0.1960 |
| 500+ | ¥0.1750 |
| 1000+ | ¥0.1652 |
| 2000+ | ¥0.1582 |
| 包装：5 | 库存：0 |