HAT2029R
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6.2A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 15nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.6272 |
| 10+ | ¥1.5255 |
| 50+ | ¥1.3730 |
| 150+ | ¥1.2713 |
| 300+ | ¥1.2001 |
| 500+ | ¥1.1696 |
| 包装：1 | 库存：0 |