NCE30H12K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 120W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 456pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 79nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 79nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.6580 |
| 50+ | ¥1.2750 |
| 500+ | ¥0.9060 |
| 1000+ | ¥0.8924 |
| 2500+ | ¥0.8148 |
| 包装：5 | 库存：2875 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.2608 |
| 包装：1 | 库存：10 |