NCE30H12K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 3V |
| 原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 79nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥2.5632 |
| 50+ | ¥1.9885 |
| 150+ | ¥1.7542 |
| 500+ | ¥1.4308 |
| 2500+ | ¥1.2838 |
| 5000+ | ¥1.1956 |
| 包装：5 | 库存：2875 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.2608 |
| 包装：1 | 库存：10 |