WSD3045DN
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A,15.3A RDS(ON)=10.5mΩ,24mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 2.1W |
| 阈值电压: | 1.8V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 18A,15.3A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 3.00mm |
| 封装/外壳: | DFN8_3X3MM |
| 漏极电流: | 18A |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 2.7nC,6nC |
| 配置: | 双路 |
| 原产国家: | China |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 10.5mΩ,24mΩ |
| 输入电容: | 250pF,880pF |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 2.7nC@4.5V |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |