WSD3045DN
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A,15.3A RDS(ON)=10.5mΩ,24mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 18A |
| 功率耗散: | 2.1W |
| 阈值电压: | 1.8V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 8.5mΩ@10V,6A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 18A,15.3A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 3.00mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3x3) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 双路 |
| 输入电容: | 250pF,880pF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 2.7nC@4.5V |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.7500 |
| 10+ | ¥1.6500 |
| 30+ | ¥1.4500 |
| 100+ | ¥1.3000 |
| 500+ | ¥1.2000 |
| 1000+ | ¥1.1300 |
| 包装：1 | 库存：0 |