HM3400PR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:6.8A
长x宽/尺寸:4.60 x 2.60mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT89-3
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:10nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):33nC
高度:1.60mm
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.2208
10+¥1.1445
50+¥1.0301
150+¥0.9538
300+¥0.9003
500+¥0.8775
包装:1 库存:0