HM3400PR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:2.5W
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6.8A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT89-3
输入电容(Ci):1.2nF
反向传输电容Crss:100pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:10nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:1000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):22mΩ
栅极电荷(Qg):33nC
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.2208
10+¥1.1445
50+¥1.0301
150+¥0.9538
300+¥0.9003
500+¥0.8775
包装:1 库存:0