2N7002EM3T5G
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TECH PUBLIC
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.85V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：42pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 150mW |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 1.85V@250μA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 印字代码: | RK* |
| 原产地: | China Taiwan |
| 连续漏极电流: | 350mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 1.25 x 0.85mm |
| 封装/外壳: | SOT-723-3 |
| 输入电容(Ci): | 42pF@10V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | - |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.2349 |
| 200+ | ¥0.1863 |
| 600+ | ¥0.1596 |
| 2000+ | ¥0.1425 |
| 8000+ | ¥0.1127 |
| 16000+ | ¥0.1047 |
| 包装：20 | 库存：15725 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 80+ | ¥0.6300 |
| 500+ | ¥0.2625 |
| 4000+ | ¥0.1740 |
| 8000+ | ¥0.1434 |
| 包装：1 | 库存：12507 |