AP2003

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N和P沟道功率MOSFET SOT23-6L

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:800mW
击穿电压:22,20V
阈值电压:0.75V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3A
长x宽/尺寸:3.02 x 1.70mm
封装/外壳:SOT23-6
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:27pF@10V
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):23mΩ@4.5V,3A
栅极电荷(Qg):5nC
高度:1.25mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
10+¥0.2564
100+¥0.2194
600+¥0.2008
1200+¥0.1978
3000+¥0.1869
包装:10 库存:5943