AP2003

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N和P沟道功率MOSFET SOT23-6L

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:800mW
阈值电压:0.75V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@4.5V,3A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:3A
封装/外壳:SOT23-6
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:27pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):5nC
零件状态:Active
高度:1.25mm
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
类型:1个N沟道+1个P沟道
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
10+¥0.2126
100+¥0.1791
包装:10 库存:503