AP2003

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N和P沟道功率MOSFET SOT23-6L

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:800mW
击穿电压:22,20V
阈值电压:0.75V
额定功率:800mW
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3A
长x宽/尺寸:3.02 x 1.70mm
封装/外壳:SOT23-6
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:5nC
原产国家:China
输入电容:260pF
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):5nC
零件状态:Active
高度:1.25mm
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥0.3183
100+¥0.2988
300+¥0.2792
500+¥0.2597
2000+¥0.2499
5000+¥0.2441
包装:1 库存:583