BLM2302

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VGS=±10V VDS=20V,ID=2.9A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1W
阈值电压:750mV
额定功率:1W
原始制造商:Shanghai Belling Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:2.9A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China
输入电容:300pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):10nC
高度:1.15mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道