BLM2302

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VGS=±10V VDS=20V,ID=2.9A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1W
击穿电压:20V
阈值电压:750mV
包装:Tape/reel
连续漏极电流:2.9A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±10V
反向传输电容Crss:80pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4nC
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):45mΩ@4.5V,2.9A
栅极电荷(Qg):10nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.2730
20+¥0.2496
100+¥0.2262
500+¥0.2028
1000+¥0.1919
2000+¥0.1841
包装:5 库存:0