NCE55P04S
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 击穿电压: | 55V |
| 阈值电压: | 3.5V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 110pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 26nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 55V |
| 栅极电荷(Qg): | 26nC |
| 高度: | 1.45mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 2个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.9474 |
| 10+ | ¥1.7722 |
| 30+ | ¥1.6554 |
| 100+ | ¥1.4802 |
| 500+ | ¥1.3984 |
| 1000+ | ¥1.3400 |
| 包装：1 | 库存：1093 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.5333 |
| 包装：1 | 库存：5 |