NCE55P04S
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 55V |
| 阈值电压: | 3.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容(Ci): | 1.45nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 55V |
| 导通电阻(RDS(on): | 82mΩ@10V,4A |
| 栅极电荷(Qg): | 26nC |
| 高度: | 1.45mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 2个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0642 |
| 10+ | ¥1.9474 |
| 30+ | ¥1.7138 |
| 100+ | ¥1.5386 |
| 500+ | ¥1.4218 |
| 1000+ | ¥1.3400 |
| 包装：1 | 库存：1093 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.5333 |
| 包装：1 | 库存：1505 |