AP5N10S
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 5A |
| 击穿电压: | 110V |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 原始制造商: | Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 115mΩ@10V,3A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5A |
| 封装/外壳: | SOT23-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 210pF |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 4.5nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.2913 |
| 包装：10 | 库存：41 |