AP30P30Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:40W
阈值电压:2V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:30A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.27 x 3.12mm
封装/外壳:DFN-8(3x3)
输入电容(Ci):2.15nF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):10mΩ@10V
栅极电荷(Qg):35nC
高度:0.83mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
5+¥0.7347
50+¥0.6483
1000+¥0.5684
2000+¥0.5494
5000+¥0.5432
包装:5 库存:3115