AP30P30Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:40W
阈值电压:2V@250µA
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
额定功率:1.5W
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:30A
封装/外壳:DFN-8(3x3)
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):35nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7347
50+¥0.6483
1000+¥0.5684
2000+¥0.5494
5000+¥0.5432
包装:5 库存:3405