AP30P30Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 40W |
| 阈值电压: | 2V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 30A |
| 长x宽/尺寸: | 3.27 x 3.12mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3x3) |
| 输入电容(Ci): | 2.15nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 10mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 35nC |
| 高度: | 0.83mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8200 |
| 50+ | ¥0.7425 |
| 150+ | ¥0.7130 |
| 500+ | ¥0.6664 |
| 2500+ | ¥0.5558 |
| 5000+ | ¥0.5433 |
| 包装：5 | 库存：6740 |